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英特尔对Intel 4工艺充满信心,或可以媲美台积电3nm制程节点

2023-08-25 09:065610

英特尔在2021年7月份的英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,公布了最新的工艺路线图。其中Intel 4制程节点(之前的7nm SuperFin)将采用极紫外(EUV)光刻技术,可使用超短波长的光,每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进,可应用下一代Foveros和EMIB封装技术,相比Intel 7制程节点可提供翻倍的晶体管密度。

据The Elec报道,英特尔相关负责人表示,对Intel 4工艺量产充满信心,认为英特尔能够控制工艺的复杂性,已经实现了高于预期的良品率。与Intel 7制程节点注重提高性能不同,Intel 4制程节点是一种更侧重能效表现的工艺,对比笔记本电脑等设备会非常有利。

英特尔称很难将Intel 4与其他晶圆代工厂的现有制程节点比较,PPA方面只是参考了外部基准测试。同时英特尔表示,已经有足够的极紫外光刻生产能力来满足市场的需求,包括未来的Intel 3工艺,对于接下来几年的生产安排已有详细的计划。

有研究公司表示,虽然英特尔在Intel 4工艺只是其首次采用极紫外光刻技术,但Intel 4工艺的芯片在性能上优于台积电现有的5nm工艺,可以与更为先进的3nm工艺相媲美。英特尔即将面向消费市场发布Meteor Lake,不但首次采用了模块化设计,而且还会采用Intel 4工艺制造。


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