英特尔对Intel 4工艺充满信心，或可以媲美台积电3nm制程节点

英特尔在2021年7月份的英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，公布了最新的工艺路线图。其中Intel 4制程节点（之前的7nm SuperFin）将采用极紫外（EUV）光刻技术，可使用超短波长的光，每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，可应用下一代Foveros和EMIB封装技术，相比Intel 7制程节点可提供翻倍的晶体管密度。

据The Elec报道，英特尔相关负责人表示，对Intel 4工艺量产充满信心，认为英特尔能够控制工艺的复杂性，已经实现了高于预期的良品率。与Intel 7制程节点注重提高性能不同，Intel 4制程节点是一种更侧重能效表现的工艺，对比笔记本电脑等设备会非常有利。

英特尔称很难将Intel 4与其他晶圆代工厂的现有制程节点比较，PPA方面只是参考了外部基准测试。同时英特尔表示，已经有足够的极紫外光刻生产能力来满足市场的需求，包括未来的Intel 3工艺，对于接下来几年的生产安排已有详细的计划。

有研究公司表示，虽然英特尔在Intel 4工艺只是其首次采用极紫外光刻技术，但Intel 4工艺的芯片在性能上优于台积电现有的5nm工艺，可以与更为先进的3nm工艺相媲美。英特尔即将面向消费市场发布Meteor Lake，不但首次采用了模块化设计，而且还会采用Intel 4工艺制造。